期刊文献+

n-Ge中单峰型反常霍尔效应的理论研究

Theoretical Investigation on Anomalous Hall Effect with Single Peak of n\|Ge
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 理论分析表明不同于n-Ge中双反转型和凹陷型反常霍尔效应,n-Ge 中的单峰型反常霍尔效应是由于样品中的反型区形成一逾渗集团.在此基础上的定量计算结果与Konorova It is pointed out that the anomalous Hall effect with single peak of n\|Ge resulted from the percolation cluster formed by inversion regions. From this model the calculated results are in good agreement with Konorova′ experimental results.
作者 姜坤 姜伟
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期743-747,共5页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献12

  • 1邢旭.-[J].科学通报,1985,30:1701-1701.
  • 2邢旭.-[J].物理学报,1990,39:614-614.
  • 3邢旭.-[J].中国科学,1990,20:880-880.
  • 4邢旭 姜伟 等.-[J].物理学报,1989,38:1210-1210.
  • 5Jiang Wei,Acta Phys Sin,1995年,4卷,923页
  • 6邢旭,物理学报,1990年,39卷,614页
  • 7邢旭,中国科学.A,1990年,20卷,880页
  • 8Chen M C,J Appl Phys,1989年,65卷,1571页
  • 9邢旭,物理学报,1989年,38卷,1210页
  • 10邢旭,科学通报,1985年,30卷,1701页

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部