期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 被引量：19

Situation and Development Trends of CMP for SiC Monocrystal Slice
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。 The development of CMP technology for SiC single crystal is described.The progress and problems of CMP for SiC single crystal are reviewed in the paper,the theory of CMP for SiC single crystal and the influence of technical parameters are discussed,then the future prospect of CMP is outlined.
作者 肖强 李言 李淑娟
机构地区 西安理工大学机械与精密仪器工程学院 西安工业大学机电工程学院
出处 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期9-13,共5页 Aerospace Materials & Technology
基金 陕西省重点实验室建设基金项目资助(09JS099)
关键词 SiC单晶片 化学机械抛光 粗糙度 抛光效率 SiC mono-crystal CMP Roughness Polishing efficiency
分类号 TN470.597 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献25

  • 1王世忠,徐良瑛,束碧云,肖兵,庄击勇,施尔畏.SiC单晶的性质、生长及应用[J].无机材料学报,1999,14(4):527-534. 被引量：11
  • 2Kato T,Wada K,Hozomie E et al.High thonghput SiC wafer polishing with good surface morphology.Materials Science Forum,2007 ; (556/557):753 -756.
  • 3Canhua L,Ishwarab B,Rongiun W.Eechtro-Chemical mechanical polishing of silicon carbide.Journal of Electronic Materials,2004133 (5):481-486.
  • 4Hideyuki H,Yasuhisa S.Novel abrasive-free planarization of 4H-SiC(00001) using catalyst.Journal of Electronic Materials,2004;35(8):11-14.
  • 5Hideyyuki H,Yasuhisa S.Novel abrasive-free planarization of Si and SiC using Catalyst.Towards Synthesis of Micro-/Nano-Systems,2006 ; 10 (1):267-270.
  • 6Yasuhisa Sana,Hidekazu Mimura.Atomic-scale flattening of SiC surfaces by Electroless chemical etching in HF solution with Pt catalyst.Appl.Phys.Lett.,2007 ;90(4):202106 -202109.
  • 7Zhize Zhu,Vikor Murator.Tribochemical polishing of silicon carbide in oxidant solution.Wear,1999 ; 225-229 (2):848 -856.
  • 8姜守振,徐现刚,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,胡小波,王继杨,蒋民华.SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展[J].Journal of Semiconductors,2007,28(5):810-814. 被引量：17
  • 9Chen Xiufang,Xu Xiangang.Anisotropy of chemical Mechanical polishing in silicon carbide substrates.Materials Science and Engineering B,2007 ; 142(1):28-30.
  • 10Zhou L,Audurier V,Pirouz P.Chemo-mechanical polishing of silicon carbide.Electroehem.Soc.,1997 ; 144 (6):161 -163.

二级参考文献23

  • 1张朝辉,温诗铸,雒建斌.Characteristics of lubrication at nanoscale in two-phase fluid system[J].Science China Chemistry,2002,45(2):166-172. 被引量：6
  • 2韩荣江,王继扬,胡小波,徐现刚,董捷,李现祥,蒋民华.6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界[J].人工晶体学报,2004,33(3):288-291. 被引量：4
  • 3石恒志,梁妍.中性变密度盘的加工与检测[J].光学技术,1994,20(5):11-12. 被引量：1
  • 4陈秀芳,李娟,马德营,胡小波,徐现刚,王继扬,蒋民华.金刚石线锯切割大直径SiC单晶[J].功能材料,2005,36(10):1575-1577. 被引量：19
  • 5Stein R A，Mater Sci Eng B，1992年，11卷，69页
  • 6Palmour J W，Appl Phys Lett，1987年，51卷，2028页
  • 7Lely J A. Darstellung von einkristallen von silicium carbid und beherrschung von art und menge der eingebautem verunreingungen(in German). Bet Deut Keram Ges, 1955, 32: 229
  • 8Tairov Y M,Tsvetkov V F. Investigation of growth process of ingots of silicon carbide single crystals. J Cryst Growth, 1978,43 : 209
  • 9Burton W K,Cabrera N, Frank F C. The growth of crystals and equilibrium structure of their surfaces. Philos Trans Roy Soc, 1951,243 : 299
  • 10Herro Z G,Epelbaum B M, Weingartner R, et al. AFM investigation of interface step structures on PVT-grown (0001) Si 6H-Si. J Cryst Growth, 2004,270:113

共引文献102

同被引文献131

引证文献19

二级引证文献73

宇航材料工艺
2010年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部