包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟被引量：1

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摘要在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及小信号下电路的自加热效应显著，而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应，使电路自加热效应引入的误差减小．

作者陈勇杨谟华朱德之

机构地区电子科技大学微电子科学与工程系国营亚光电工厂研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期520-524,共5页 半导体学报（英文版）

关键词 BJT电路自动加热效应电路模拟 G-P模型

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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Journal of Semiconductors

1999年第6期

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