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PN结压变电容特性的应用研究 被引量:3

New Research and Progress on the Characteristic C j=f(U j ) of Any PN Junction
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摘要 首先提出了PN结压变电容特性表达式,并绘制出其实验曲线,然后导出了PN结结电容的几个近似计算式,最后通过实例说明了这些近似式在电子技术工程中的若干种应用。 Firstly a formula of C j=f(U j) of any PN junction is presented, next the curve is bear out by making some tests and then a number of formulas are obtained, and finally these formulas are explained by means of some other examples.
作者 成立
出处 《半导体杂志》 1999年第1期8-13,共6页
基金 江苏理工大学1998年教研与改革项目
关键词 PN结 势垒电容 双极型晶体管 场效应晶体管 PN junction barrier capacitance bipolar junction transistor(BJT) junction-type field effected transistor(JFET) high frequency hybrid-π equivalent circuit
  • 相关文献

参考文献1

  • 1王远.模拟电子技术[M].北京:机械工业出版社,1996..

共引文献7

同被引文献13

引证文献3

二级引证文献20

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