摘要
描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺，研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。
The design,fabricationandperformanceofa4bitGaAsmonolithicphaseshifterforuseinthe2.63.1 GHzfrequencyrangearediscribed.ItisdesignedwithlumpedelementsorTtypehighpass/lowpassphaseshiftnetworksandGaAsMESFETasswitches,and fabricatedwithstandardNEDIsionimplantedMMICprocess.ThisphaseshifterexhibitslowRMSphaseerror(<l degrees),goodVSWR(<1.4),andlowinsertionloss(<5.5 dB)as well as low insertionlossvariation(RMS<0.2 dB)forallsixteenphasestatesovertheentireoperationalbandwidth.Thechipsizeis6.45 mm1.4 mm0.2 mm.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期139-143,共5页
Research & Progress of SSE
