摘要
实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3^+、T_3^-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。
Optimized EHT method has been used to determine the energy levels of dangling bonds with different disordered surroundings.It is found that with the different environments the energy levels of dangling bonds are different,by which the scattering experimental results about the levels of dangling bonds can be explained.It is concluded that in Si:H there are three charged states of dangling bonds(T_3^+、T_3~°and T_3^-),which are seperated spatially.
出处
《山东大学学报（自然科学版）》
CSCD
1990年第3期308-312,共5页
Journal of Shandong University(Natural Science Edition)
