摘要
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器，与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点，是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。
Integration of ferroelectric thin film and semiconductor creates a new generation of non volatile memories. The ferroelectric non volatile memories have some advantages over the classical semiconductor memorizers, and they are the ideal memory chip for IC card.
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第1期22-27,共6页
Piezoelectrics & Acoustooptics
基金
国家高技术新材料计划资助
