SIMOX结构及杂质的二次离子质谱分析
摘要
用二次离子质谱方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构和杂质分布。讨论了测量的方法。说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的捩缺陷和杂质的施主作用。要制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1998年第A12期125-129,共5页
Vacuum Science and Technology
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