摘要
前言 以超大规模集成电路为核心的微电子学已发展得相当成熟,制备10μm大小的集成电路元件已成为常规工艺,提高集成度,缩小元件尺寸的努力仍在向前发展。目前世界上已能生产1—4兆集成度的半导体存贮器,加工线宽可达0.8μm,接近亚微米级,不久集成度可达64兆位,加工线宽将达0.1-0.2μm,即达到亚微米级的极限,根据这种发展趋势,有人作出预测,到2020年时,集成电路中单个元件的尺寸将小至钠米级(～10^(1-)米)。
出处
《感光科学与光化学》
CSCD
1989年第1期60-68,共9页
Photographic Science and Photochemistry
