摘要
采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.
We realized the growth of terahertz quantum-cascade laser（THz QCL）by gas source molecular beam epitaxy（GSMBE）.Electrochemical capacitance-voltage method,Hall measurement and high-resolution x-ray diffraction were used to evaluate the crystalline quality of the THz QCL active region.Meanwhile,we used an ensemble Monte Carlo method to investigate the carrier transport characteristics in a resonant-phonon THz QCL.Level alignment and electron motion under different applied biases are discussed in detail.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期7083-7087,共5页
Acta Physica Sinica
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310402)
国家自然科学基金(批准号:60721004
60606027)
上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题~~
关键词
太赫兹
量子级联激光器
分子束外延
X射线衍射
terahertz
quantum-cascade laser
molecular beam epitaxy
x-ray diffraction
