多孔硅的发光机制

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摘要光电集成是信息科技发展的必然趋势,然而单晶体硅的禁带宽度窄小(约1.12eV),又属于间接带隙半导体,决定了它不能直接应用于光电器件。直到1990年,Canham发现室温下介孔尺寸多孔硅强烈的光致发光现象,才再一次引发了硅基发光材料的研究热潮。近十几年来,多孔硅的大量研究主要集中在成核机理、

作者丛培申

机构地区山东省乳山市第一中学

出处《中国教师》 2007年第S2期203-203,共1页 Teacher’s Journal

关键词多孔硅量子限制效应光致发光禁带宽度表面态光电集成必然趋势光电器件硅基发光材料间接带隙半导体

参考文献3

1秦国刚,贾勇强.多孔硅发强可见光的新物理模型[J].Journal of Semiconductors,1993,14(10):648-651. 被引量：22
2Cullis A G,Canhamn L T,Calcott P D J.The structural and luminescence properties of porous silicon[].Journal of Applied Physics.1997
3Vasquez R P,Fathauer R W,George T,Ksendzov A,Lin T L.Electronic structure of light-emitting porous Si[].Applied Physics.1992

1李雪梅,魏希文.多孔硅的发光机制综述[J].半导体杂志,1994,19(2):24-29. 被引量：4
2何宇亮,余明斌,万明芳,李雪梅,徐士杰,刘湘娜,于晓梅,郑厚植,罗晋生,魏希文,戎霭伦.纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索[J].自然科学进展（国家重点实验室通讯）,1995,5(3):359-361. 被引量：1
3郭享群.金－多孔硅光致发光和红外光谱研究[J].光学学报,1995,15(5):558-561. 被引量：1
4沈华,谢廷贵,王余姜,蔡玉霜.二氧化锡／多孔硅／硅的吸附特性[J].厦门大学学报（自然科学版）,1995,34(5):707-710. 被引量：1
5郭亨群.铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究[J].光子学报,1996,25(7):605-608. 被引量：1
6孙小菁,马书懿,张汉谋,徐小丽,魏晋军.镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射[J].人工晶体学报,2007,36(4):926-930. 被引量：1
7晋卫军,沈国励,俞汝勤.发光多孔硅的化学传感特征[J].分析化学,1997,25(5):604-609. 被引量：3
8孙小菁,马书懿,魏晋军,徐小丽.金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究[J].西北师范大学学报（自然科学版）,2007,43(6):38-41. 被引量：1
9薛亮,李怀祥,于磊,胡明波,陈姗姗.硝酸银水溶液处理新生多孔硅的研究[J].材料工程,2008,36(10):370-373. 被引量：1
10李永放,余明斌,王燕,魏昂.多孔硅吸附荧光素钠分子产生荧光增强效应[J].光子学报,1998,27(3):204-206. 被引量：1

中国教师

2007年第S2期

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