摘要
对６５０￣９００℃之间深度热处理ＺｎＯ压敏陶瓷的研究表明，在直流偏置电压作用下，漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值，正向伏安特性非但没有退化，反而得到改进。设想是由于热处理时，耗尽层中Ｚｎｉ向外扩散速度快，以致耗尽层中Ｚｎｉ浓度迅速降低，结果扩散进入晶界的氧以Ｏ＇ｏ形式得以在界面积累；原来主要由Ｖ＇Ｚｎ构成的界面负电荷转变为主要由Ｖ＇Ｚｎ和Ｏ＇ｏ共同构成，在偏压作用下Ｏ＇ｏ发生迁移所致。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1997年第9期851-857,共7页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金资助项目
