摘要
采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_(ph)/σ_d)达到10_6量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm^2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1997年第7期653-658,共6页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金资助项目
