摘要
采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过对测量的霍尔电压作数据处理得到锗的霍尔系数RH（T）、电导率σ（T）和霍尔迁移率μH（T）与温度的依赖关系．该实验结果对学生理解半导体物理中的相关知识有重要意义．
With digital computer control and data acquisition system, this paper carried out the Ge single crystal （6.0 mm long, 4.0 mm wide, 0, 6 mm thick） Hall effect from 77 K to 420 K, attained Hall coefficient RH （T）, Hall conductivity σ（T）, and Hall mobility μH（T） of the temperature dependence through analysis of the Hall voltage. This experiment results make a full impact for students on comprehending the knowledge of semiconductor physics.
出处
《大学物理》
北大核心
2008年第11期37-39,49,共4页
College Physics
基金
贵州省教育厅自然科学类科研资助项目(黔教科:2007102)
关键词
变温霍尔效应
霍尔系数
数据处理
Hall effect at different temperatrues
Hall coefficient
data analysis
