GaAs(110) 弛豫表面电子结构的理论研究

Theoertical study of electronic constructure on GaAs (110) relaxed surface

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摘要基于 K.S.Dy 的无穷阶微扰理论及紧束缚方法,取用 Vogl 的经验紧束缚参数,我们对 GaAs(110) 表面的电子结构做了理论计算,并同实验进行了比较,得出了 BR 模型比较接近真实表面构型的结论。 Based on K.S.Dy,S.Y.Wu's infinte-class perturbance theory and tight-binding method;We have studied the electronic constructure of GaAs(110) relaxed surface;and compared to experiment data。

作者常凯汪洁英

机构地区淮北煤炭师范学院物理系

出处《淮北煤师院学报（自然科学版）》 1990年第1期39-43,共5页 Journal of Huaibei Teachers College(Natural Sciences Edition)

关键词电子结构表面旋转弛豫键

分类号 TN703 [电子电信—电路与系统]

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淮北煤师院学报（自然科学版）

1990年第1期

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