摘要
介绍了１种应用于表面电离型溅射负离子源的球面形透射表面电离器，并阐述了原理。这种电离器可使铯蒸气直接通过，避免了铯蒸气绕射造成电离表面铯原子通量低的缺点，增大了铯离子的产额，也使离子源的流强较采用非透射型电离器时提高了５０％—８７％。
A spherical porous surface ionizer for the surface ionization sputtering ion source is introduced,and the principle is also explained in the paper.The cesium vapor can pass the ionizer directly,so the cesium atom flux for reaching the ionization surface increases.As a result,the output negative ion currents of the GIC 860 A sputtering ion source increase by 50% to 87%.
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期499-502,共4页
Atomic Energy Science and Technology
关键词
透射电离器
表面电离
串列加速器
负离子源
Porous ionizer Surface ionizing Cesium ions yield Transmission ionizing rate
