摘要
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。
The quantum dot diode is fabricated by using nc-Si:H film. The I-V characteristic is measured, and resonant tunneling phenomenon is observed. The results show that the quantum dots in nanocrystalline silicon result in Columb blockade effect.
出处
《西安理工大学学报》
CAS
1997年第2期118-122,共5页
Journal of Xi'an University of Technology
基金
机械工业部科技基金
西安理工大学博士科研启动基金
关键词
纳米硅
量子点
库仓阻塞效应
薄膜
nanocrystalline silicon quantum dot Columb blockade effect
