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硅的原子吸收光谱分析进展 被引量:9

Development of the Determination of Silicon by AAS
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摘要 对近十年来用原子吸收光谱法测定硅的情况进行评述.重点介绍用石墨炉测定硅时,为了避免硅与石墨炉中碳形成难熔碳化硅影响测定硅的灵敏度而使用的各种化学改进剂,涂层石墨管和一些新的实验技术.引用参考文献42篇. The determination of Si by AAS in recent ten years was reviewed in this papen. Emphasis is how to avoid the formation of refractory silicon carbide and the improvement of sensitivity of Si with graphite furnace through the use of various chemical modifiers, coated graphite tubes and new experimental techniques.
作者 米瑞华
出处 《分析科学学报》 CAS CSCD 1997年第4期341-345,共5页 Journal of Analytical Science
关键词 原子吸收光谱 化学改进剂 涂层石墨管 Silicon, Atomic absorption spectrometry, Chemical modifier, Coated graphite tube, Review
  • 相关文献

参考文献7

二级参考文献8

  • 1林文业,理化检验.化学分册,1992年,28卷,3期,179页
  • 2李述信,原子吸收光谱分析中的干扰及消除方法,1987年
  • 3殷增掬
  • 4庄峙厦,厦门大学学报,1989年,28卷,2期,180页
  • 5徐学敏,光谱学与光谱分析,1984年,4卷,4期,53页
  • 6林文业,理化检验.化学分册,1992年,28卷,3期,179页
  • 7刘纪琳,分析试验室,1982年,1卷,1期,58页
  • 8唐玉蓉,梁烽.石墨炉原子吸收光谱法测定高纯r—Al2O3中痕量硅[J].痕量分析,1989,5(3):28-32. 被引量:1

共引文献12

同被引文献1196

引证文献9

二级引证文献50

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