摘要
GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响。采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm。在77 K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因。
The processes of thinning GaAs substrate is one of the most important processes in fabrication of multiple quantum well infrared photodetector,especially for focal plane array （FPA）. Through thinning GaAs substrate by using both manual and machine methods, the thickness of GaAs substrate is decreased from 625μm to 29± 2μm. By analyzing the experimental result, the reasons for perpendicular incidence inducing light absorption is discussed.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期528-530,534,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家“973”计划项目(2006CB604902)
关键词
多量子阱
红外
衬底减薄
光耦合
multiple quantum wells
infrared thinning substrate
optical coupling
