摘要
本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。
The study progress of the plasma chemistry and plasma-surface reaction mechanics during the dePOsition of diamond-like carbon films by radio frequency plasma-enhancedc hemical-vaper-depositicn are re viewed in detail in this paper.The emphasis is placed on the re action and transport mechanisms of ion and neutral species in methane radio frequency glowdischarge deposition plasma,and the chemical kinetics of plasma-surface reaction.
出处
《真空电子技术》
1997年第4期17-22,共6页
Vacuum Electronics
基金
华中理工大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室资助
关键词
RF-PECVD
类金刚石碳膜
等离子体反应
RF-PECVD,Diamond-like carbon film,Plasma chemistry, Plasma-surface reaction
