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电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法 被引量:1

Electromigration Parameter-A Dynamic Current Ramp Measurement Method of Current Density Exponent
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摘要 本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究.首次提出了动态电流斜坡电流密度因子测试法(DCR).该方法与传统的MTF法不同,能精确控制金属条温,消除了高电流密度条件下焦耳热的影响,提高了n值的测量精度与速度.研究了四种不同样品直流和脉冲条件下的n值.实验结果表明,n值与材料、频率、占空比有关,与温度、一定范围内的电流密度无关. The current density exponent (n) and its accurate measurement technology in Black equation are studied. A dynamic current ramp method (DCR) is presented for the first time. Compared with the MTF method, it can improve the accuracy and test speed of n and eliminate effect of Joule heat in high current density. The n values of four samples have been measured under DC and pulse stress. The results show that the values of n depend on materials, frequency and duty ratio, but are independent of temperature and current density in some degree.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期825-831,共7页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 电流密度 电迁徒参数 DCR 半导体材料 测试 Current density Electric properties
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Chen T M,IEEE Proc of IRPS,1985年
  • 2Hong C C,IEEE Proc of IRPS,1985年
  • 3Jiang Tao,IEEE Trans Electron Dev,41卷,8期,539页

同被引文献1

引证文献1

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