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GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究

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摘要用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致．

作者肖剑飞封松林彭长四

机构地区中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院物理研究所

出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期321-324,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves

关键词 GESI/SI 应变超晶格退火离子注入

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] O471.4 [理学—半导体物理]

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红外与毫米波学报

1997年第5期

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