用光激金属有机化合物化学气相沉积的低温外延生长GaAs的新方法
-
1孙林林,刘宏玉,程文娟,马学鸣,石旺舟.在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜[J].人工晶体学报,2005,34(6):1132-1136. 被引量:4
-
2褚连青.GaN的低温外延生长及其光荧光特征[J].电子材料快报,1995(5):8-9.
-
3黄大鹏,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇.低温外延生长应变SiGe材料研究[J].电子科技,2004,17(4):8-10.
-
4阮勇,谢丹,任天令,林惠旺,刘理天.PZT薄膜的MOCVD制备技术[J].纳米技术与精密工程,2008,6(1):64-67. 被引量:2
-
5国产MOCVD研制成功推动LED灯价格降低[J].世界电子元器件,2012(5):10-10.
-
6王向武,赵仲庸.用SiH2Cl2进行低温外延生长[J].半导体杂志,1992,17(1):5-7.
-
7张冠英,梅俊平,解新建.MOCVD外延生长GaN材料的技术进展[J].半导体技术,2010,35(3):201-204. 被引量:8
-
8王文樑,李国强.在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件[J].半导体技术,2012,37(11):863-868. 被引量:3
-
9冯雷,韩军,邢艳辉,邓旭光,汪加兴,范亚明,张宝顺.高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究[J].光电子.激光,2012,23(9):1754-1759. 被引量:4
-
10陈佰军,杨树人,刘宝林,王本忠,刘式墉.LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜[J].吉林大学自然科学学报,1993(2):59-62. 被引量:1