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低成本、大功率GaN功率电子器件 被引量:1

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摘要 GaN作为第3代宽带半导体的典型代表,具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优异特性。GaN肖特基二极管的性能已经可以和SiC器件相媲美,而且售价比SiC肖特基二极管低30%。
作者 彭彪
出处 《光机电信息》 2008年第2期35-37,共3页 OME Information
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