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分形晶化的Au/a-Ge双层膜的非线性体V-Ⅰ特征

Nonlinear V-Ⅰ Characteristic in Fractal Crystallization of An/a-Ge Bilayer Film
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摘要 本文报道了Au/a-Ge双层膜的分形晶化现象,并首次测量了An/a-Ge双层膜分形晶化的V-I特性.实验结果表明:分形晶化后的An/a-Ge双层膜具有反常的非线性V-I特征,应用隧道结网络(RTJN)模型对实验结果给予了合理的解释. The fractal crystallization phenomenon of the An/a-Ge bilayer film has been investigated, and the V-I characteristic of the film has been measured for the first time. The experimental evidence suggests that the An/a-Ge film after fractal crystallization has anomalous nonlinear V-I characteristic. The phenomenon is explained by the Random Tunneling Junction Network mode (RTJN mode).
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期679-681,共3页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
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参考文献9

二级参考文献12

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共引文献12

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