纳米薄膜分析基础

Fundamentals of Nanoscale Film Analysis

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摘要现代科技正朝着纳米尺度发展，从薄膜材料到场效应管器件，其重点是将其尺寸从微米级降到纳米级。《纳米薄膜分析基础》为配合这一发展，阐述材料表面及近表面几百纳米深度范围内材料的结构、组分等方面的表征。该书侧重于各种表征手段所基于的物理基础。

作者孔梅影

机构地区中国科学院软件研究所

出处《国外科技新书评介》 2007年第10期13-14,共2页 Scientific & Technology Book Review

关键词纳米尺度物理基础薄膜分析薄膜材料表征手段现代科技场效应管材料表面

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]

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3杨绍利,徐楚韶,陈厚生,胡再勇.工业五氧化二钒制备V_2O_5半导体薄膜分析[J].重庆大学学报（自然科学版）,2002,25(5):97-100. 被引量：1
4林俊,陈岳瑞,胡际璜,张翔九.分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究[J].物理实验,2003,23(2):43-47.
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9陈元儒,徐春同,等.离子束增强沉积氮化硅膜的分析[J].薄膜科学与技术,1991,4(4):1-7. 被引量：1
10巩岩,陈波,尼启良,赵红颖,曹健林.薄膜特性的掠发射X射线荧光分析[J].光谱学与光谱分析,2003,23(6):1199-1202. 被引量：1

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2007年第10期

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