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A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation 被引量：8

一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)
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摘要 A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented. Using current mode structure, the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV. Compensated through the VEB linearization technique, this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 10ppmFC from 0 to 150℃. With a 1.1V supply voltage,the supply current is 43μA and the PSRR is 55dB at DC frequency. This bandgap reference has been verified in a UMC 0.18μm mixed mode CMOS technology and occupies 0. 186mm^2 of chip area. 介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.
作者 幸新鹏 李冬梅 王志华
机构地区 清华大学微电子研究所 清华大学电子工程系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期24-28,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60475018) 北京市科技发展计划(批准号:D0305004040221-2-05)资助项目~~
关键词 CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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同被引文献72

引证文献8

二级引证文献18

Journal of Semiconductors
2008年 第1期

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