期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

氧非正分La_(0.9)Ba_(0.1)MnO_(3-δ)/SrTiO_3:Nbp-n异质结的整流特性研究 被引量：2

The study on the rectifying properties of oxygen non-stoichiometric La_(0.9)Ba_(0.1)MnO_(3-δ)/SrTiO_3:Nb p-n heterojunction
原文传递
导出
摘要 利用脉冲激光沉积技术在掺Nb的SrTiO3衬底上制备了氧非正分La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nbp-n异质结.在20—300K这一较宽的温度范围内获得了光滑的整流曲线.整流实验表明:该p-n异质结的正向扩散电压VD随着温度升高在薄膜金属—绝缘转变温度附近出现极大值,表现出与氧正分La0.9Ba0.1MnO3/SrTiO3:Nbp-n结截然不同的温度特性.结合薄膜的电阻-温度实验和能带计算结果,对这一奇异的现象进行了解释. The La0.9Ba0.1MnO3-σ/SrTiO3：Nbp-n heterojunctions have been fabricated by growing the oxygen nonstoichiometricLa0.9Ba0.1MnO3-σ thin film on the Nb doped SrTiO3 substrate with pulsed laser deposition. The good rectifying curves have been demonstrated in the temperature range of 20-300 K. The diffusion voltage VD exhibits a maximum near the transition temperature of La0.9Ba0.1MnO3-σ thin film, which is different to the observation in the oxygen stoichiometric La0.9Ba0.1MnO3-σ/SrTiO3：Nbp-n heterojunction. The interesting phenomenon has been well explained with the resistance-temperature experiment of La0.9Ba0.1MnO3-σ thin film and energy band calculations.
作者 王茺 刘昭麟 刘俊明 陈雪梅 崔昊杨 夏长生 杨宇 陆卫
机构地区 云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 南京大学固体微结构国家重点实验室 昆明物理研究所基础研发中心
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期502-507,共6页 Acta Physica Sinica
基金 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2004CB619004) 国家自然科学基金(批准号:60567001) 云南大学“学术骨干”培养基金资助的课题~~
关键词 La0.9Ba0.1MnO3-σ薄膜 锰氧化物p-n结 整流性质 La0.9Ba0.1MnO3-σ thin films, manganite p-n junction, rectifying properties
分类号 TN35 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献28

  • 1Mathews S, Ramesh R, Venkatesan T, Benedetto J 1997 Science 276 238.
  • 2Haghiri A M, Renard J P 2003 Phys. D : Appl. Phys. 36 R127.
  • 3Lisauskas A, Khartsev S L, Grichin A 2000 Appl. Phys. Lett. 77 756.
  • 4Tang D D, Wang P K, Balcells L, Enrich R 1995 IEEE J. Trans. Magn. 31 3026.
  • 5Wu T, Ogale S B, Garrison J E, Nagaraj B, Biswas A, Venkatesan T, Millis A J 2001 Phys. Rev. Lett. 86 5998.
  • 6Yu L, Li X W, Gong G Q, Xiao G, Gupta A, Sun J Z, Wang Y Y, Dravid V P 1996 Phys. Rev. B 54 R8357.
  • 7Xu Y H, Dworak V, Drechsler A, Hartmann U 1999 Appl. Phys. Lett. 74 2513.
  • 8王茺,张鹏翔,张国勇.高温超导体和巨磁阻薄膜激光感生热电电压的最佳膜厚研究[J].物理学报,2004,53(6):1727-1730. 被引量：9
  • 9Tanaka H, Zhang J, Kawai T 2002 Phys. Rev. Lett. 88 027204.
  • 10Zhang J, Tanaka H, Kawai T 2001 Appl. Phys. Lett.80 4378.

二级参考文献50

  • 1谈国太,陈正豪,章晓中.钙钛矿锰氧化物La_(1-x)Te_xMnO_3(x=0.04,0.1)的两类磁电阻现象[J].物理学报,2005,54(1):379-383. 被引量：14
  • 2Salamom M B and Jaime M 2001 Rev. Mod. Phys. 73 583.
  • 3Von. Helnot R, Wecker J, Holzapfel B, Chultz M, Schultz K and Samwer K 1993 Phys. Rev. Lett. 71 2331.
  • 4Jin S, Tile T H, McCormack M, Fastnacht R A, Ramesh R A and Chen L H 1994 Sciences 264 413.
  • 5Zhao G M, Conder K, Keller H and Muller K A 1996 Nature 381676.
  • 6Millis A J 1998 Nature 392 147.
  • 7Si Q 1997 Phys. Rev. Lett. 78 1767.
  • 8Tang W H et al 2001 J. Mater Research 16 2864.
  • 9Gao J, Kang L, Wong H Y, Cheung Y L and Yang J 2003 Int. J.Mod. Phys. B 17 3695.
  • 10Mita C, Raychandhuri P, Kobernik G, Dorr K, Muller K H,Schultz L and Pinto R 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2408.

共引文献19

同被引文献28

  • 1尤政,杨韧,胡庆英,罗维国,陈军.红外技术在硅基半导体材料微体缺陷测试中的应用[J].红外技术,1996,18(3):37-40. 被引量：1
  • 2全知觉,孙立忠,叶振华,李志锋,陆卫.碲镉汞异质结能带结构的优化设计[J].物理学报,2006,55(7):3611-3616. 被引量：4
  • 3S.Mathews, R. Ramesh, T. Venkatesan, and J. Benedetto. Ferroelectric Field Effect Transistor Based on Epitaxial Perovskite Heterostructures[J]. Science, 1997, 276:238
  • 4C. Wang, Y. Yang, ZF. Li, X.S. Chen, S.C. Shen, J. M. Liu, W. Lu. Manipulation of quantum interference effects in La0.39Pr0.28Ca0.33MnO34 by p-n junction at high temperature[J]. J. Appl. Phys, 2008, 103: 705.
  • 5A,M. Haghiri, and J.P. Renard.CMR manganites: physics, thin film and devices[J]. Phys. D: Appl. Phys., 2003, 36: R127.
  • 6A. Lisauskas, S. L. Khartsev, and A, Grichin.Tailoring the colossal magnetoresistivity: La0.7( Pb0.63 Sr0.37)0.3MnO3 thin-film uncooled bolometer[J]. Appl. Phys. Lett., 2000, 77: 756.
  • 7D.D. Tang, P.K. Wang, L. Balcells, and R. Enrich. Combatting partial erasure and transition jitter in magneticrecording[J]. IEEE J. Trans. Magn., 1995, 31: 3026.
  • 8T. Wu, S.B. Ogale, J.E. Garrison, et al.. Electroresistance and Electronic Phase Separation in Mixed-Valent Manganites[J]. Phys. Rev. Lett., 2001, 86: 5998.
  • 9L. Yu, X.W. Li, G.Q. Gong, et al.. Large magnetotunneling effect at low magnetic fields in micrometer-scale epitaxial La0.67Sr0.33MnO3 tunnel junctions[J]. Phys. Rev. B, 1996, 54: R8357.
  • 10Y.H. Xu, V. Dworak, A. Drechsler, and U. Hartmann. Anisotropic low-field magnetoresistance of polycrystalline manganite sensors[J]. Appl. Phys. Lett., 1999, 74: 2513.

引证文献2

二级引证文献1

物理学报
2008年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部