摘要
宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都采用分子束外延（ＭＢＥ）技术。本文首次报道用低压金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）制备的ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多量子阱。用Ｘ射线衍射、光致发光（ＰＬ）和受激发射实验检测该结构。使用低压ＭＯＣＶＤ装置，在（１００）ＧａＡｓ衬底上以用高纯氢气作载气的二甲基锌（ＤＭＺｎ）、二乙基碲（ＤＥＴｅ）和Ｈ２Ｓｅ源材料生长５０周期ｘ＝０．０７和ｘ＝０．１６的ＺｎＳｅ１ｘＴｅｘＺｎＳｅ多层结构。生长温度和压力分别是４５０℃和３８Ｔｏｒ。Ⅱ族源和Ⅵ族源分别从不同的管道进入反应室，Ⅱ／Ⅵ（Ｈ２）是０．８／１．２，经实验验证，在这个比值可以生长成均匀的薄膜。Ｘ射线衍射的测试采用Ｄ／ＭａｘｒＡ型旋转阳极衍射仪的Ｃｕ钯Ｋα特征谱线。Ｘ射线衍射谱出现四个明显可分辨的卫星峰，这些峰位于ＧａＡｓ衬底衍射峰左侧，主要峰值半宽度小于２０ａｒｃ／ｓｅｃ。多级卫星峰的出现和小的谱线宽度表明，样品已形成具有陡峭界面的周期性多量子阱结?
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期331-331,共1页
Journal of Synthetic Crystals
