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碲化锌镉摄像靶的材料和性能

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摘要本文叙述了研制和生产碲化锌镉摄像管过程中的靶光导层材料试验的基本情况,着重讨论材料组成及其处理方法对摄像靶各种参数及靶背景中疵点的影响。还介绍几种碲化锌镉新结构靶的一些情况。

作者崇悦华

机构地区公安部第一研究所

出处《真空电子技术》北大核心 1990年第3期26-31,35,共7页 Vacuum Electronics

关键词碲化锌镉摄像管摄像靶材料

分类号 TN142.04 [电子电信—物理电子学]

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1义仡.ZnTe和ZnTe／ZnSe在Ⅲ—Ⅴ族基片上的外延生长[J].电子材料快报,1998(1):15-15.
2ZnSe与ZnTe中的受主掺杂[J].发光快报,1994,15(3):12-15.
3白光.有量子尺寸效应的蹄化锌激活层中的连续激光振荡(300K)[J].国外激光,1992(7):12-13.
4佐贺大学利用新材料试制成功绿色LED，“便于降低成本提高效率”[J].国际电子变压器,2008(7):100-101.
5佐贺大学利用新材料试制成功绿色LED[J].稀土信息,2008,14(7):26-26.
6吕有明,杨宝均,关郑平,陈连春,杨爱华,范希武.室温下ZnS－ZnTe应变超晶格的带间跃迁[J].发光学报,1996,17(3):204-209.
7崇悦华.摄象管靶压动态范围[J].真空电子技术,1989,2(1):27-30.
8杨宝钧,关郑平,吕有明.不同衬底上ZnTe外延膜的生长及其应力效应[J].稀有金属,1993,17(3):185-188.
9张吉英,杨宝均,申德振,范希武.ZnTe_xSe_(1-x)外延层的室温发光特性[J].光电子．激光,1997,8(6):417-420. 被引量：1
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真空电子技术

1990年第3期

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