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Enhanced electroluminescence from nanocrystallite Si based MOSLED by interfacial Si nanopyramids 被引量：3

Enhanced electroluminescence from nanocrystallite Si based MOSLED by interfacial Si nanopyramids
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摘要 The interracial Si nano-pyralnid-enhanced electroluminescence （EL） of an ITO/SiOx/p-Si/Al metal-oxidesemiconductor （MOS） diode with turn-on voltage of 50 V, threshold current of 1.23 mA/cm^2, output power of 16 nW, and lifetime of 10 h is reported. The interracial Si nano-pyralnid-enhanced electroluminescence （EL） of an ITO/SiOx/p-Si/Al metal-oxidesemiconductor （MOS） diode with turn-on voltage of 50 V, threshold current of 1.23 mA/cm^2, output power of 16 nW, and lifetime of 10 h is reported.
作者 林恭如
机构地区 Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics Department of Electrical Engineering
出处 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第11期671-673,共3页 中国光学快报（英文版）
关键词 Electric potential ELECTROLUMINESCENCE MOS devices NANOCRYSTALLITES Semiconducting silicon Electric potential Electroluminescence MOS devices Nanocrystallites Semiconducting silicon
分类号 O482 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献3

  • 1A.G.Cullis,L.T.Canham,and P.D.J.Calcott. Journal of Applied Physiology . 1997
  • 2L.Pavesi,L.D.Negro,C.Mazzoleni,C.Franzo,and F. Priolo. Nature . 2000
  • 3D.J.DiMaria,J.R.Kirtley,E.J.Pakulis,D.W.Dong,S.T.Kuan,F.L.Pesavento,T.N.Theis,J.A.Cutro,and S.D.Brorson. Journal of Applied Physiology . 1984

同被引文献10

引证文献3

二级引证文献12

Chinese Optics Letters
2007年 第11期

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