碳纳米管性能测量实现新突破

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摘要在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今，碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料。但是，要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走，其中，了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素。近日，IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量，并发现其直径小于2nm。

作者王丽英

出处《今日电子》 2007年第11期31-31,共1页 Electronic Products

关键词碳纳米管性能测量纳米晶体管性能极限集成电路电子密度电荷分布硅芯片

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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