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SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化—扩散工艺模拟 被引量:1

IC Oxidation and Diffusion Process Sinulation with SUPREM-Ⅲ
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摘要 随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,本文以氧化扩散工艺为例,并在计算机上采用SUPREM-Ⅲ完成氧化扩散初始条件的编辑以及工艺模拟,并对模拟结果进行分析比较。从而对氧化、扩散工艺操作过程有直观的了解,避免了复杂的工程计算。 With the rapid development in the process of intenrated circuits, the function of the process simulation software has been improved constantly, Taking The oxidation and diffusion process as example, The edit of process initial condition and oxygen chemical diffusion process simulation are done on the computer. The simulation curves are also compared, and the oxidation and diffusion process can be easily seen while avoiding the complicated engineering computation.
机构地区 沈阳化工学院
出处 《微计算机信息》 北大核心 2007年第04X期273-275,共3页 Control & Automation
基金 辽宁省教育厅科学研究计划(20040291)
关键词 SUPREM-Ⅲ 氧化扩散 工艺模拟 SUPREM-Ⅲ oxygen chemical diffusion process simulation
  • 相关文献

参考文献3

  • 1A.C.Deng,Y.C.Shiau,and K.H.Lob,Time Domain Current Waveform Simulation of CMOS Circuits[J].Proceedings of ICCAD,pp.Nov.1988,208-211.
  • 2Farid Najm.Transition Density,A Stochastic Measure of Activity in Digital Cireuits[J].Proceedings of the Custom Integrated Circuits Conference(CICC),pp.May 1990,19.7.1-10.7.6.
  • 3韩春辉,蔡金燕,孟亚峰.基于VXIbus的数字集成电路在线测试系统的设计[J].微计算机信息,2006,22(01S):175-177. 被引量:5

二级参考文献1

共引文献4

引证文献1

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