摘要
本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。
The key fabricating process of MCT-the triple diffusion is investigated. The process conditions are obtained by process simulator SUPREM-Ⅲ. The measurement results of spreading resistance,bevel and sheet resistance indicate that optimum design and fabrication are fulfilled. The new structure of DOFMCT with turn off capability of 134A/cm2 is designed and fabricated successfully ,
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期63-66,共4页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基金
