摘要
来自台积电（TSMC）的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜（SEM）图像来跟踪缺陷来源的方法，从而成功地将浸没式曝光的300mm硅片上的平均缺陷数目从19.7减少到4．8个微粒／硅片。包括TSMC的Lin-Hung Shiu和Fu-Jye Liang等研究人员，在二月份召开的SPIE先进光刻技术（Advanced Lithography）会议上报告了他们减少浸没式光刻缺陷的方法。该方法涉及到缺陷数据库的建立和新型曝光程序的采用，以降低整体缺陷率并提高成品率。
出处
《集成电路应用》
2007年第7期24-24,共1页
Application of IC
