45和32nm面临新的刻蚀挑战被引量：1

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摘要在45和32nm节点,对刻蚀而言,传统的挑战如对轮廓的严格控制、选择性、CD、均匀性和缺陷将伴随着新材料的使用、光刻的限制、新的器件结构和集成方案的引入将变得更加严峻。

作者 Peter Singer（编）

机构地区《集成电路应用》主编

出处《集成电路应用》 2007年第4期43-46,共4页 Application of IC

关键词刻蚀集成方案器件结构新材料均匀性节点控制轮廓

同被引文献14

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集成电路应用

2007年第4期

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