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基于SOI材料制造新型磁敏三极管

Manufacturing new type of magnetic sensitivity transistor on SOI
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摘要 阐述了基于SOI材料制造新型磁敏三极管的设计原理和制造工艺。构成新型磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明,此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。 New type of magnetic sensitivity transistor is based on SOl, whose design principle and process are expatiated, and whose recombination region is set by anisotropic etching technology in MEMS. At the same time, the recombination mechanism of recombination region is given. The result of experiment shows that this kind of transistor is provided with high magnetic sensitivity, low noise, and high reliability.
作者 曹体锋
出处 《哈尔滨轴承》 2007年第2期61-62,共2页 Journal of Harbin Bearing
关键词 SOI 磁敏三极管 低噪声 MEMS 各向异性腐蚀 SOI magnetic sensitivity transistor low noise MEMS anisotropic etching
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参考文献4

  • 1温殿忠;黄德星;张喜勤.磁敏感元器件与磁传感器,2002.
  • 2黄得星 温殿忠.硅磁敏二极管研制.物理,1979,(8):456-456.
  • 3BALTER H P;POPOVIC R S.Integrated Semiconductor magnetic fild sensors,1986.
  • 4JOHANNES W A;WERNER A LANGHEINRICH.An Analytical Model of MAGFET[J],1999(01).

共引文献1

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