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(100)Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法 被引量:3

New Method of Convex Corner Compensation in Anisotropic Etching of (100) Si in KOH
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摘要 本文对G.K.Mayer等人提出的,用(100)条对(100)Si凸角补偿的方法进行了深入研究,指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性,在此基础上提出了一种改进的新方法,并给出了理论分析及实验结果. Abstract The method of convex corner compensation with (100) bar for silicon presented by G. K. Mayer, et al has been investigated. The limitations of the method is indicated,and a modified method is put forward, the results of theoretic analysis and experiment have been presented.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期923-927,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献1

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同被引文献5

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引证文献3

二级引证文献17

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