摘要
GaAs/AlxGa1-xAs多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/AlxGa1-xAs多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/AlxGa1-xAs层间界面清晰（图1）。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线（图2）显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期194-194,共1页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
