用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶

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摘要由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得高质量的外延层及用这种材料生产优质的光电子器件,为了减少缺陷,研究缺陷的性质及其成因是很有意义的。已有很多人对GaAs/Si的微孪晶进行了研究,如吴小京等做出了微孪晶的结构模型,谢强华等观察到微孪晶的不对称分布。

作者陈弘褚一鸣李方华杨大宇王风莲

机构地区中国科学院物理所中国科学院半导体所

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期195-195,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词 GAAS/SI 异质结孪晶 HREM MBE

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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