InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究

下载PDF

导出

摘要 InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。

作者孟祥敏曾一平胡魁毅吴玉琨

机构地区中国科学院金属研究所固体原子象实验室中国科学院半导体研究所

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期146-146,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词半导体锑化铟砷化镓界面分析 HREM

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1硅与高介电常数氧化物的界面[J].物理与工程,2004,14(3):63-63.
2张庶元,谢毅,钱逸泰,张裕恒.纳米GaN的制备及HREM观测[J].电子显微学报,1996,15(6):499-499.
3陈弘,褚一鸣,李方华,杨大宇,王风莲.用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶[J].电子显微学报,1990,9(3):195-195.
4邹永达.半导体界面分析新技术[J].微电子学,1996,26(2):125-128. 被引量：1
5宋祥云,马利泰,温树林,王卉,朱祖昌.半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究[J].电子显微学报,1990,9(3):197-197.
6朱健民,李齐,蒋冬梅.高能（Mev）As￣＋离子注入硅｛113｝缺陷的HREM研究[J].电子显微学报,1994,13(6):478-478.
7毛国民,陈坤基,严勇,陈峻,冯端.非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究[J].南京大学学报（自然科学版）,1989,25(3):42-49.
8薛菁,李亚东.SiC晶须微观结构的电镜研究[J].电子显微学报,1996,15(6):569-569.
9顾永达,吕剑,戴丽珍,于瀛大,关若男,叶恒强.超细粒子铜基甲醇触媒的HREM研究[J].电子显微学报,1993,12(2):176-176.
10戴吉岩,李斗星,叶恒强,张国军,金宗哲.复相陶瓷TiB2-Ti(CN)-Ni的高分辨电镜研究[J].电子显微学报,1993,12(2):163-163.

电子显微学报

1993年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史