细铝电极条的湿法腐蚀的改进
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1马瑾,宋学文.GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用[J].山东大学学报(自然科学版),1990,25(3):313-317.
-
2李洪兴.美防务企业为争夺氮化镓雷达合同展开竞争[J].现代军事,2016,0(11):13-13.
-
3薄膜科学与技术[J].光机电信息,2005(9):32-33.
-
4聂磊,史铁林,廖广兰,钟飞.Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究[J].半导体技术,2005,30(12):26-28. 被引量:1
-
5孙希凯.切割单晶及多晶硅片表面层损伤研究[J].环球市场,2016,0(28):75-75.
-
6杨晓婵(摘译).日本东京大学开发快速、低耗电锗晶体管[J].现代材料动态,2010(11):4-4.
-
7硅半导体特性的发现及硅器件发展及应用的曲折经历[J].中国集成电路,2006,15(7):18-22.
-
8江剑平,李艳和,武建平,许知止.用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应[J].Journal of Semiconductors,1994,15(11):774-781. 被引量:3
-
9张少云,范明海,徐传骧.一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法[J].电力电子技术,1995,29(3):71-73.
-
10黄建国,韩建伟.脉冲激光诱发单粒子效应的机理[J].中国科学(G辑),2004,34(2):121-130. 被引量:21
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