期刊文献+

基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿 被引量:1

Pressure Sensor Based on Si_3N_4 Membrane and the Compensation
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 MEMS技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。用于测量大气气压的传感器,主要材料是硅、氮化硅和铂金,氮化硅薄膜形成了传感器的主要结构。这种压力传感器与一般传感器相比具有结构简单、工艺易于实现以及精度高等优点。设计了工艺过程,制作了器件样片,并算法补偿了温度对传感器的影响。 The sensor based on MEMS has advantages of light weight, small size and low cost. A new structure pressure sensor has been designed and fabricated. The main materials of the sensor are Si, Si3N4 and Pt and Si2N4 membrane forms the main structure. The sensor has advantages of simple structure, easy processing and high accuracy compared to the normal sensor. The temperature compensation is also given, which improves the accuracy of the sensor.
出处 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期726-729,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
基金 国家自然科学基金课题资助(90207006) 中国科学院微系统创新项目资助
关键词 MEMS 压力传感器 氮化硅 温度 补偿 MEMS pressure sensor Si3N4 temperature compensation
  • 相关文献

参考文献6

  • 1Bernd F,Peter S,Walter L.A pressuresensor based on a nitride membrane using single-cystalline piezoresistors[J].Sensors andActuators,1996,A 54:488-492.
  • 2王厚枢 等.传感器原理[M].北京:航空工业出版社,1987..
  • 3徐泰然.MEMS和微系统--设计与制造[M].北京:机械工业出版社,2004.
  • 4Stephen A.Campbell著,曾莹.严利人.王纪民等译.微电子制造科学原理与工程技术[M].电子工业出版社,2004-2:338-343.
  • 5Pedersen M.Meijerink MGH.et al.An IC-compat-ible polyimide pressure sensor withcapacitive readou-t[J],Sensors and Actuators,1997,A 63:163-168.
  • 6黄庆安.微硅机械加工技术[M].科学出版社,1995:191-197.

共引文献15

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部