摘要
近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In（Ga）As5—10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In（Ga）As／GaAs量子点的局域电导特性进行了系统研究。得到了生长在不同掺杂特性（n型、p型）缓冲层上的表面量子点的扫描电流像。
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期213-213,共1页
Bulletin of the Chinese Ceramic Society
