摘要
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高。
This review focuses mainly on the GaN films deposited on a variety of substrates, γ-LiAlO2 and r-plane sapphire especially. GaN films on sapphire are commonly grown in the polar c （[ 0001 ] ） direction ,which leads to a strong internal electrostatic field in quantum wells based on GaN, and hence decreasing the intensity of luminescence. Epitaxial growth of nonpolar wurtzite GaN films provides a promising means of circumventing the physical phenomenon and a good performance in visible band.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期765-771,共7页
Journal of Synthetic Crystals
基金
中国科学院"百人计划"
国家高技术研究发展计划(No.2004AA311080)资助课题
