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1.3μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究 被引量:3

Low Frequency Optical Noise and Electrical Noise Investigation of 1.3μm InGaAsP/InP Superluminescent Diodes
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摘要 给出了研制的1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明.超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性.其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。 The experimental results of low frequency optical noise and electrical noise andtheir correlation of 1. 3 μm InGaAsP/InP superluminescent diodes fabricated by us aregiven. These results are analysed and discussed in combination with electrical derivative,optical derivative and spectrum measurement. The results demonstrate that the lowfrequency optical noise and electrical noise of superluminescent diedes are correlative, andthe noises are related to the material quality of the dieodes, structure parameters andoperation conditions.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期785-790,共6页 Chinese Journal of Lasers
基金 国家教委博士点基金 集成光电子学国家重点实验室开放课题资助
关键词 发光二极管 光噪声 电噪声 INGAASP/INP superluminescent diode optical noise electrical noise
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参考文献4

二级参考文献4

共引文献7

同被引文献24

  • 1石家纬,金恩顺,马靖,戴逸松,张新发.半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件的可靠性[J].中国激光,1993,20(10):729-732. 被引量:6
  • 2路国光,套格套,尧舜,孙艳芳,单肖楠,王超,刘云,王立军.808nm大功率半导体激光器的加速老化实验[J].半导体光电,2005,26(2):97-99. 被引量:7
  • 3王晓燕,赵润,沈牧.小发散角高功率半导体激光器研究[J].红外与激光工程,2006,35(3):302-304. 被引量:9
  • 4张爽,郭树旭,郭欣,曹军胜,郜峰利,单江东,任瑞治.激光器阵列的非本征理想因子[J].Journal of Semiconductors,2007,28(5):768-773. 被引量:8
  • 5Dai Yisong,Microelectronics Reliability,1995年,35卷,4期,731页
  • 6Shi Jiawei,Microelectronics Reliability,1994年,34卷,1期,1261页
  • 7Jang Shenglyang,Solid-state Electronics,1993年,36卷,2期,189页
  • 8M. M. Choy, C. E. Barnes. Effective screen for fast aging InGaAsP BH lasers using electrical derivatives [J]. Electron.Lett., 1985. 21(19) :846-848.
  • 9Shi Jiawei, Jin Enshun, Gao Dingsan. The junction voltage saturation and reliability of semiconductor laser [J]. Optical and Quantum Electronics, 1992, 24(7) :775-781.
  • 10Shi Jiawei, ]in Enshun, Li Hongyan el al.. The characteristic junction parameter of a semiconductor laser and its relation with reliability [J]. Optical and Quantum Electronics, 1996, 28(6):647-651.

引证文献3

二级引证文献13

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