Ⅲ族氮化物半导体的进展与展望

Progress and Prospects of Group-Ⅲ Nitride Semiconductors

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摘要由于高亮度蓝光和绿光 LED 已在很大程度上实现了商用化,因此目前人们对 GaN 及其合金的兴趣显然不仅仅只是好奇而已。然而仍有许多诸如 p 型掺杂、金属化及电流传导等问题还有待解决。本文将讨论掺 Mg GaN 的发射特性,描述高电导率 GaN 的复合动力学与电导,以及用于 GaN 和 GaN/AlGaN 异质结构基 MODFET 整流和欧姆接触的金属化工艺等。

作者 H.Morkoc 李秀清

出处《半导体情报》 1996年第5期18-22,共5页 Semiconductor Information

关键词 Ⅲ族氮化物半导体

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

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