摘要
非晶态结构与相应的晶态结构之间存在着一定的联系。据此,本文提出了一个关于理想的非晶态半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金刚石晶格“改造”成了非晶态硅和锗的连续无规网格,所得结构模型的主要参数(密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。
This paper presents a theoretical model for the atomic arrangement in ideal amorphous semiconductors, based on the relationship between amorphous structure and crystalline structure. The theoretical model has been used to simulate the atomic arrangement in a-Si and a-Ge. The characteristics of the structural models obtained are in good agreement with experimental results.
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期86-90,共5页
Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis
关键词
半导体
非晶态
硅
锗
结构模型
Amorphous semiconductors
Atomic arrangement
Structural model
