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金刚石表面的功能化修饰 被引量：10

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摘要 化学气相沉积法(CVD)制备金刚石薄膜的出现,使人们大规模利用金刚石优异性质的愿望得以实现.但是,金刚石薄膜表面sp3碳构造的高稳定性导致其表面可再造性能差,无法满足制备各种功能性表面的需要.本文从化学修饰的角度,概括和总结了金刚石薄膜表面的功能化修饰和分子微结构设计等问题.讨论了金刚石表面的活性官能团导入,金刚石表面修饰有机(生物)分子,以及通过金属、金属氧化物修饰制备具有良好催化活性的金刚石表面的制备方法,并对金刚石薄膜在不同领域内的应用前景作了展望.
作者 只金芳 关波
机构地区 中国科学院理化技术研究所
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期497-505,共9页 Chinese Science Bulletin
基金 国家重点基础研究发展规划（批准号：2001CB6106011）资助项目.
关键词 金刚石薄膜表面 修饰官能团 生物分子 金属及金属氧化物
分类号 TQ127.11 [化学工程—无机化工]
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参考文献46

  • 1Angus J C,Wang Y,Sunkara M.Metastable growth of diamond and diamond-like phases.Annu Rev Mater Sci,1991,21:221～248
  • 2Yoder M N.Diamond and diamond-like films and coatings.New York:Plenum Press,1991.1～16
  • 3Strother T,Cai W,Zhao X,et al.Synthesis and characterization of DNA-modified silicon (111) surfaces.J Am Chem Soc,2000,122:1205～1209
  • 4Miller J B,Brown D W.Photochemical modification of diamond surfaces.Langmuir,1996,12:5809～5817
  • 5Williams O A,Whitefield M D,Jackman R B,et al.Formation of shallow acceptor states in the surface region of thin film diamond.Appl Phys Lett,2001,78:3460～3462
  • 6Smentkowski V S,J(a)nsch H,Henderson M A,et al.Deuterium atom interaction with diamond (100) studied by X-ray photoelectron spectroscopy.Science,1995,330:207～226
  • 7Ando T,Gamo M N,Rawles R E,et al.Chemical modification of diamond surfaces using a chlorinated surface as an intermediate state.Dia Relat Mater,1996,5:1136～1142
  • 8Smentkowski V S,Yates J T.Fluroination of diamond surfaces by irradiation of perfluorinated alkyl lodides.Science,1996,271:193～195
  • 9Miller J B,Brown D W.Amines and thiols on diamond surfaces.Diamond Related Materials,1995,4:435～440
  • 10Ohtami B,Kim Y,Yano T,et al.Surface functionalization of doped CVD diamond via covalent bond and XPS study on the formation of surface-bound quaternary pyridinium salt.Chem Lett,1998:953～954

二级参考文献45

  • 1Granger M C, Swain G M. J. Electrochem. Soc., 1999, 146(12): 4551-4558.
  • 2Sarada B V, Rao T N, Tryk D A, et al. Chem Lett., 1999,1213-1214.
  • 3Fujishima A, RaoTN, TrykDA, PopaE, etal. J. Electroanal.Chem., 1999, 473:179-185.
  • 4Knickerbocker T, Strother T, Schwartz M P, et al. Langmuir,2003, 19:1938-1942.
  • 5Hadenfeldt S, BenndorfC. Sur. Sci., 1998, 402/404:227-231.
  • 6Sarada B V, Rao T N, Tryk D A, et al. New Diamond FrontierCarbon Technology, 1999, 9 (5): 365-377.
  • 7Maeda Y, Sato K, Rao T N, et al. Electrochim. Acta, 1999,44: 3441-3449.
  • 8Wu Z, Yano T, Tryk D A, et al. Chem. Lett., 1998, 6: 503-504.
  • 9Panizza M, Duo I, Michaud P A, et al. Electrochem. Solid-State Lett., 2000, 3 (12): 550-551.
  • 10Michaud P A, Mahe E, Haenni W, et al. Electrochem. SolidState Lett., 2000, 3(2): 77-79.

共引文献26

同被引文献58

引证文献10

二级引证文献39

科学通报
2006年 第5期

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