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新型半导体薄膜材料的研究与进展
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摘要
阐述了新型半导体薄膜材料──金刚石和富勒烯、C-氮化硼和β-碳化硅以及聚乙炔和聚噻吩等制备技术进展、器件应用概况和未来发展趋势。
作者
李玉增
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期7-11,共5页
Semiconductor Technology
关键词
半导体薄膜
金刚石
富勒烯
氮化硼
碳化硅
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1996年 第3期
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